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ON Semiconductor FDD14AN06LA0-F085

Name: FDD14AN06LA0-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD14AN06LA0-F085
Price: 0.590864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (456 reviews)

MFG-Teilenummer: FDD14AN06LA0-F085

verfügbare Anzahl: 39530 Stücke

Referenzpreis: USD 0.590864

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDD14AN06LA0-F085.pdf

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FDD14AN06LA0-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDD14AN06LA0-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FDD14AN06LA0-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDD14AN06LA0-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD14AN06LA0-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDD14AN06LA0-F085-FT

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