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ON Semiconductor FDD1600N10ALZD
- MFG-Teilenummer
- FDD1600N10ALZD
- verfügbare Anzahl
- 54980 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.310464
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDD1600N10ALZD.pdf
FDD1600N10ALZD Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDD1600N10ALZD |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDD1600N10ALZD |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDD1600N10ALZD Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Last Time Buy |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 14.9W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252-4L |
| Paket / fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDD1600N10ALZD Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDD1600N10ALZD-FT |
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