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FDD4N60NZ Image

ON Semiconductor FDD4N60NZ

MFG-Teilenummer
FDD4N60NZ
verfügbare Anzahl
16260 Stücke
Referenzpreis
USD 0.322664
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UniFET-II™ MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FDD4N60NZ.pdf
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FDD4N60NZ Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDD4N60NZ
Zukünftige Teilenummer FT-FDD4N60NZ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UniFET-II™
FDD4N60NZ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 114W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD4N60NZ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDD4N60NZ-FT

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