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FDD5612 Image

ON Semiconductor FDD5612

MFG-Teilenummer
FDD5612
verfügbare Anzahl
91380 Stücke
Referenzpreis
USD 0.337712
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDD5612 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDD5612
Zukünftige Teilenummer FT-FDD5612
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDD5612 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD5612 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDD5612-FT

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