Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDMC86116LZ
Herstellerteilenummer | FDMC86116LZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDMC86116LZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDMC86116LZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paket / fall | 8-PowerWDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC86116LZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDMC86116LZ-FT |
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
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FQI3P20TU
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FQI3P50TU
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FQI47P06TU
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FQI4N20LTU
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