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ON Semiconductor FDMS4D0N12C
- MFG-Teilenummer
- FDMS4D0N12C
- verfügbare Anzahl
- 76400 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.523736
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® PTNG 120V N-FET PQFN56
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDMS4D0N12C.pdf
FDMS4D0N12C Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDMS4D0N12C |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDMS4D0N12C |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDMS4D0N12C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 67A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 370A |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 60V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / fall | 8-PowerTDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDMS4D0N12C Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDMS4D0N12C-FT |
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