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ON Semiconductor FDN5618P_G

Name: FDN5618P_G
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDN5618P_G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (97 reviews)

MFG-Teilenummer: FDN5618P_G

verfügbare Anzahl: 89150 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® INTEGRATED CIRCUIT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDN5618P_G.pdf

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FDN5618P_G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDN5618P_G
Zukünftige Teilenummer	FT-FDN5618P_G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDN5618P_G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	13.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SuperSOT-3
Paket / fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN5618P_G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDN5618P_G-FT

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