Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FES8DT-12HE3/45
Herstellerteilenummer | FES8DT-12HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FES8DT-12HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FES8DT-12HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8DT-12HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FES8DT-12HE3/45-FT |
VS-10ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel