Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FESE8JT-E3/45
Herstellerteilenummer | FESE8JT-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FESE8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FESE8JT-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESE8JT-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FESE8JT-E3/45-FT |
VS-MBR1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1635-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1645-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR745-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15D-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1090-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1090-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation