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FGD3N60LSDTM-T Image

ON Semiconductor FGD3N60LSDTM-T

MFG-Teilenummer
FGD3N60LSDTM-T
verfügbare Anzahl
32070 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FGD3N60LSDTM-T.pdf
FGD3N60LSDTM-T Image

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FGD3N60LSDTM-T Spezifikationen

Herstellerteilenummer FGD3N60LSDTM-T
Zukünftige Teilenummer FT-FGD3N60LSDTM-T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
FGD3N60LSDTM-T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Leistung max 40W
Energie wechseln 250µJ (on), 1mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 12.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/600ns
Testbedingung 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr) 234ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGD3N60LSDTM-T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FGD3N60LSDTM-T-FT

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