Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS3201RBU
Herstellerteilenummer | FJNS3201RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS3201RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS3201RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3201RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS3201RBU-FT |
PDTD123YUF
Nexperia USA Inc.
PDTD123YUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC123JT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143XT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZT,215
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
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EPF8282ALC84-3
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EP20K200EBC356-2N
Intel