Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS4201RBU
Herstellerteilenummer | FJNS4201RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS4201RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS4201RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4201RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS4201RBU-FT |
PDTC143ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
XA6SLX25-3FTG256Q
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel