Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS4214RTA
Herstellerteilenummer | FJNS4214RTA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS4214RTA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS4214RTA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4214RTA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS4214RTA-FT |
FJNS4202RTA
ON Semiconductor
FJNS4203RBU
ON Semiconductor
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XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
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AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
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EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
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