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ON Semiconductor FJV3112RMTF
- MFG-Teilenummer
- FJV3112RMTF
- verfügbare Anzahl
- 42920 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FJV3112RMTF.pdf
FJV3112RMTF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FJV3112RMTF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FJV3112RMTF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| FJV3112RMTF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FJV3112RMTF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FJV3112RMTF-FT |
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