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ON Semiconductor FQB22P10TM-F085

Name: FQB22P10TM-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB22P10TM-F085
Availability: InStock
Rating: 4.8 (321 reviews)

MFG-Teilenummer: FQB22P10TM-F085

verfügbare Anzahl: 26610 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, QFET® MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQB22P10TM-F085.pdf

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FQB22P10TM-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQB22P10TM-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FQB22P10TM-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, QFET®
FQB22P10TM-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.75W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB22P10TM-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQB22P10TM-F085-FT

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