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ON Semiconductor FQB3N80TM

Name: FQB3N80TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB3N80TM
Availability: InStock
Rating: 4.5 (492 reviews)

MFG-Teilenummer: FQB3N80TM

verfügbare Anzahl: 75450 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQB3N80TM.pdf

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FQB3N80TM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQB3N80TM
Zukünftige Teilenummer	FT-FQB3N80TM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQB3N80TM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB3N80TM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQB3N80TM-FT

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