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ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085

Name: FQD12N20LTM-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD12N20LTM-F085
Price: 0.763528 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (278 reviews)

MFG-Teilenummer: FQD12N20LTM-F085

verfügbare Anzahl: 73860 Stücke

Referenzpreis: USD 0.763528

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, QFET® MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQD12N20LTM-F085.pdf

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FQD12N20LTM-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQD12N20LTM-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FQD12N20LTM-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, QFET®
FQD12N20LTM-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD12N20LTM-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQD12N20LTM-F085-FT

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