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ON Semiconductor FQD19N10TM_F080

Name: FQD19N10TM_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD19N10TM_F080
Availability: InStock
Rating: 4.7 (198 reviews)

MFG-Teilenummer: FQD19N10TM_F080

verfügbare Anzahl: 92830 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQD19N10TM_F080.pdf

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FQD19N10TM_F080 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQD19N10TM_F080
Zukünftige Teilenummer	FT-FQD19N10TM_F080
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQD19N10TM_F080 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	15.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD19N10TM_F080 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQD19N10TM_F080-FT

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