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Infineon Technologies AUIRLR3636

MFG-Teilenummer
AUIRLR3636
verfügbare Anzahl
72780 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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AUIRLR3636 Spezifikationen

Herstellerteilenummer AUIRLR3636
Zukünftige Teilenummer FT-AUIRLR3636
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
AUIRLR3636 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 143W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRLR3636 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer AUIRLR3636-FT

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