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ON Semiconductor FQD5N60CTM_F080

Name: FQD5N60CTM_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD5N60CTM_F080
Availability: InStock
Rating: 4.9 (765 reviews)

MFG-Teilenummer: FQD5N60CTM_F080

verfügbare Anzahl: 48300 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQD5N60CTM_F080.pdf

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FQD5N60CTM_F080 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQD5N60CTM_F080
Zukünftige Teilenummer	FT-FQD5N60CTM_F080
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQD5N60CTM_F080 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 49W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD5N60CTM_F080 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQD5N60CTM_F080-FT

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