Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQH70N10

ON Semiconductor FQH70N10

Name: FQH70N10
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQH70N10
Availability: InStock
Rating: 4.9 (184 reviews)

MFG-Teilenummer: FQH70N10

verfügbare Anzahl: 90250 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQH70N10.pdf

Angebot anfordern für FQH70N10

Name der Firma

Gesprächspartner

Telefonnummer

Adresse

Email

Botschaft

FQH70N10 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQH70N10
Zukünftige Teilenummer	FT-FQH70N10
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQH70N10 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQH70N10 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQH70N10-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns