Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQH90N15
Herstellerteilenummer | FQH90N15 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQH90N15 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQH90N15 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQH90N15 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQH90N15-FT |
GP1M016A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M018A020FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M007A080F
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FG
Global Power Technologies Group
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel