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ON Semiconductor FQI10N60CTU

Name: FQI10N60CTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI10N60CTU
Availability: InStock
Rating: 4.9 (467 reviews)

MFG-Teilenummer: FQI10N60CTU

verfügbare Anzahl: 14110 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQI10N60CTU.pdf

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FQI10N60CTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQI10N60CTU
Zukünftige Teilenummer	FT-FQI10N60CTU
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQI10N60CTU Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.13W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I2PAK (TO-262)
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI10N60CTU Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQI10N60CTU-FT

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