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ON Semiconductor FQI2N30TU
- MFG-Teilenummer
- FQI2N30TU
- verfügbare Anzahl
- 58510 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- QFET® MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FQI2N30TU.pdf
FQI2N30TU Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FQI2N30TU |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FQI2N30TU |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | QFET® |
| FQI2N30TU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQI2N30TU Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FQI2N30TU-FT |
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