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Infineon Technologies IRF40H210

Name: IRF40H210
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF40H210
Price: 0.711376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (83 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF40H210

verfügbare Anzahl: 53520 Stücke

Referenzpreis: USD 0.711376

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF40H210.pdf

IRF40H210 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF40H210
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF40H210
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF40H210 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5406pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF40H210 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF40H210-FT

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