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IRF40H210 Image

Infineon Technologies IRF40H210

MFG-Teilenummer
IRF40H210
verfügbare Anzahl
53520 Stücke
Referenzpreis
USD 0.711376
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRF40H210.pdf
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IRF40H210 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF40H210
Zukünftige Teilenummer FT-IRF40H210
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRF40H210 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5406pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Paket / fall 8-PowerVDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF40H210 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF40H210-FT

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