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FQPF2N80YDTU Image

ON Semiconductor FQPF2N80YDTU

MFG-Teilenummer
FQPF2N80YDTU
verfügbare Anzahl
41700 Stücke
Referenzpreis
USD 0.728648
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQPF2N80YDTU.pdf
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FQPF2N80YDTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQPF2N80YDTU
Zukünftige Teilenummer FT-FQPF2N80YDTU
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQPF2N80YDTU Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / fall TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF2N80YDTU Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQPF2N80YDTU-FT

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