Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQI6N50TU
Herstellerteilenummer | FQI6N50TU |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQI6N50TU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQI6N50TU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI6N50TU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQI6N50TU-FT |
IRFH6200TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH6200TRPBF
Infineon Technologies
IRLH5034TR2PBF
Infineon Technologies
IRLH5034TRPBF
Infineon Technologies
IRLH5036TR2PBF
Infineon Technologies
IRLH5036TRPBF
Infineon Technologies
HTNFET-T
Honeywell Aerospace
GA08JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA04JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT12-247
GeneSiC Semiconductor