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FQPF6N80T Image

ON Semiconductor FQPF6N80T

MFG-Teilenummer
FQPF6N80T
verfügbare Anzahl
13640 Stücke
Referenzpreis
USD 1.056656
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQPF6N80T.pdf
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FQPF6N80T Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQPF6N80T
Zukünftige Teilenummer FT-FQPF6N80T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQPF6N80T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 51W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220F
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF6N80T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQPF6N80T-FT

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