Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQPF6N80
Herstellerteilenummer | FQPF6N80 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF6N80 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF6N80 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 51W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF6N80 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF6N80-FT |
FQPF12N60CT
ON Semiconductor
FQPF12N60T
ON Semiconductor
FQPF12P10
ON Semiconductor
FQPF12P20
ON Semiconductor
FQPF12P20XDTU
ON Semiconductor
FQPF12P20YDTU
ON Semiconductor
FQPF13N06
ON Semiconductor
FQPF13N10
ON Semiconductor
FQPF13N10L
ON Semiconductor
FQPF13N50
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel