Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / GA10JT12-263
Herstellerteilenummer | GA10JT12-263 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GA10JT12-263 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GA10JT12-263 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA10JT12-263 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GA10JT12-263-FT |
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