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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263

MFG-Teilenummer
GA10JT12-263
verfügbare Anzahl
70340 Stücke
Referenzpreis
USD 16.12
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
- TRANS SJT 1200V 25A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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GA10JT12-263 Spezifikationen

Herstellerteilenummer GA10JT12-263
Zukünftige Teilenummer FT-GA10JT12-263
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GA10JT12-263 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package -
Paket / fall -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10JT12-263 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GA10JT12-263-FT

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