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Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1

Name: IPT111N20NFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT111N20NFDATMA1
Price: 3.338992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (673 reviews)

MFG-Teilenummer: IPT111N20NFDATMA1

verfügbare Anzahl: 47540 Stücke

Referenzpreis: USD 3.338992

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPT111N20NFDATMA1.pdf

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IPT111N20NFDATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPT111N20NFDATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPT111N20NFDATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPT111N20NFDATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT111N20NFDATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPT111N20NFDATMA1-FT

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