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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263

Name: GA10SICP12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10SICP12-263
Price: 22.33392 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (143 reviews)

MFG-Teilenummer: GA10SICP12-263

verfügbare Anzahl: 41370 Stücke

Referenzpreis: USD 22.33392

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung: - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GA10SICP12-263.pdf

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GA10SICP12-263 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GA10SICP12-263
Zukünftige Teilenummer	FT-GA10SICP12-263
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GA10SICP12-263 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	170W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK (7-Lead)
Paket / fall	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10SICP12-263 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GA10SICP12-263-FT

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