Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / GB2X100MPS12-227
Herstellerteilenummer | GB2X100MPS12-227 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GB2X100MPS12-227 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GB2X100MPS12-227 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 185A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 80µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB2X100MPS12-227 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GB2X100MPS12-227-FT |
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CTR
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MBR500100CT
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MBR500100CTR
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MBR500150CT
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MBR500150CTR
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MBR500200CT
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MBR500200CTR
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel