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Herstellerteilenummer | MBR40060CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR40060CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR40060CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 400A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 200A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40060CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR40060CTR-FT |
MURF20060
GeneSiC Semiconductor
MURF20060R
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A045
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MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A100
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MBR2X050A200
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MBR2X100A180
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XC2V80-5FGG256C
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XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
Intel