Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / GB2X50MPS12-227
Herstellerteilenummer | GB2X50MPS12-227 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GB2X50MPS12-227 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GB2X50MPS12-227 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 93A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 40µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB2X50MPS12-227 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GB2X50MPS12-227-FT |
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CT
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XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
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