Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / GDZ27B-E3-18
Herstellerteilenummer | GDZ27B-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GDZ27B-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ27B-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Toleranz | ±4% |
Leistung max | 200mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 150 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 21V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ27B-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GDZ27B-E3-18-FT |
BZX384C6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V8-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel