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Global Power Technologies Group GP1M003A090C

Name: GP1M003A090C
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M003A090C
Availability: InStock
Rating: 5.0 (263 reviews)

MFG-Teilenummer: GP1M003A090C

verfügbare Anzahl: 90330 Stücke

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Hersteller: Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: GP1M003A090C.pdf

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GP1M003A090C Spezifikationen

Herstellerteilenummer	GP1M003A090C
Zukünftige Teilenummer	FT-GP1M003A090C
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
GP1M003A090C Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	748pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M003A090C Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	GP1M003A090C-FT

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