Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQD2N30TM
Herstellerteilenummer | FQD2N30TM |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQD2N30TM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQD2N30TM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 850mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD2N30TM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQD2N30TM-FT |
FDD20AN06A0-F085
ON Semiconductor
FDD24AN06LA0
ON Semiconductor
FDD24AN06LA0_SB82179
ON Semiconductor
FDD2512
ON Semiconductor
FDD2570
ON Semiconductor
FDD2612
ON Semiconductor
FDD26AN06A0
ON Semiconductor
FDD3570
ON Semiconductor
FDD3580
ON Semiconductor
FDD3N40TF
ON Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel