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Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E

Name: H7N1002LSTL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H7N1002LSTL-E
Availability: InStock
Rating: 5.0 (497 reviews)

MFG-Teilenummer: H7N1002LSTL-E

verfügbare Anzahl: 71880 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: H7N1002LSTL-E.pdf

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H7N1002LSTL-E Spezifikationen

Herstellerteilenummer	H7N1002LSTL-E
Zukünftige Teilenummer	FT-H7N1002LSTL-E
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
H7N1002LSTL-E Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	75A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	4-LDPAK
Paket / fall	SC-83
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LSTL-E Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	H7N1002LSTL-E-FT

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