Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RQK0607AQDQS#H1
Herstellerteilenummer | RQK0607AQDQS#H1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RQK0607AQDQS#H1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RQK0607AQDQS#H1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | UPAK |
Paket / fall | TO-243AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQK0607AQDQS#H1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RQK0607AQDQS#H1-FT |
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