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HAT2169H-EL-E Image

Renesas Electronics America HAT2169H-EL-E

MFG-Teilenummer
HAT2169H-EL-E
verfügbare Anzahl
25920 Stücke
Referenzpreis
USD 1.232
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
HAT2169H-EL-E.pdf
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HAT2169H-EL-E Spezifikationen

Herstellerteilenummer HAT2169H-EL-E
Zukünftige Teilenummer FT-HAT2169H-EL-E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HAT2169H-EL-E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6650pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package LFPAK
Paket / fall SC-100, SOT-669
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2169H-EL-E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HAT2169H-EL-E-FT

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