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Herstellerteilenummer | RS1E200BNTB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RS1E200BNTB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RS1E200BNTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSOP |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1E200BNTB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RS1E200BNTB-FT |
RSS060P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FRATB
Rohm Semiconductor
RJK005N03T146
Rohm Semiconductor
RHK005N03T146
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RJK005N03FRAT146
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2SK2731T146
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RF4E100AJTCR
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
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MPM7128SQC100AC
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