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Renesas Electronics America HAT2170H-EL-E

Name: HAT2170H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: HAT2170H-EL-E
Availability: InStock
Rating: 4.7 (723 reviews)

MFG-Teilenummer: HAT2170H-EL-E

verfügbare Anzahl: 12660 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HAT2170H-EL-E.pdf

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HAT2170H-EL-E Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HAT2170H-EL-E
Zukünftige Teilenummer	FT-HAT2170H-EL-E
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HAT2170H-EL-E Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	45A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4650pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	LFPAK
Paket / fall	SC-100, SOT-669
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2170H-EL-E Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HAT2170H-EL-E-FT

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