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ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A

Name: HGT1S3N60A4DS9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S3N60A4DS9A
Availability: InStock
Rating: 5.0 (258 reviews)

MFG-Teilenummer: HGT1S3N60A4DS9A

verfügbare Anzahl: 64590 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HGT1S3N60A4DS9A.pdf

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HGT1S3N60A4DS9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HGT1S3N60A4DS9A
Zukünftige Teilenummer	FT-HGT1S3N60A4DS9A
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
HGT1S3N60A4DS9A Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
IGBT-Typ	-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	17A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 3A
Leistung max	70W
Energie wechseln	37µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	6ns/73ns
Testbedingung	390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	29ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S3N60A4DS9A Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HGT1S3N60A4DS9A-FT

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