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ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A

MFG-Teilenummer
HGTD3N60C3S9A
verfügbare Anzahl
76830 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
HGTD3N60C3S9A.pdf
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HGTD3N60C3S9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer HGTD3N60C3S9A
Zukünftige Teilenummer FT-HGTD3N60C3S9A
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HGTD3N60C3S9A Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Leistung max 33W
Energie wechseln 85µJ (on), 245µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 10.8nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package TO-252AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD3N60C3S9A Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HGTD3N60C3S9A-FT

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