Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / HS1DL RVG
Herstellerteilenummer | HS1DL RVG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HS1DL RVG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HS1DL RVG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL RVG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HS1DL RVG-FT |
SS14LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H10LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel