Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / HUFA75639G3
Herstellerteilenummer | HUFA75639G3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HUFA75639G3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UltraFET™ |
HUFA75639G3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 56A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75639G3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HUFA75639G3-FT |
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050H
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GP1M005A050HS
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GP1M007A090H
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GP1M008A025HG
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GP1M008A050HG
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GP1M008A080H
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GP1M009A020HG
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GP1M009A050HS
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GP1M009A060H
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