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Infineon Technologies IAUC120N04S6N009ATMA1

Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1
Price: 1.033032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (589 reviews)

MFG-Teilenummer: IAUC120N04S6N009ATMA1

verfügbare Anzahl: 33580 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IAUC120N04S6N009ATMA1.pdf

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IAUC120N04S6N009ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IAUC120N04S6N009ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IAUC120N04S6N009ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IAUC120N04S6N009ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7360pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUC120N04S6N009ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IAUC120N04S6N009ATMA1-FT

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