Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IAUS300N08S5N012ATMA1
Herstellerteilenummer | IAUS300N08S5N012ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IAUS300N08S5N012ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IAUS300N08S5N012ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 300A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 231nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16250pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
Paket / fall | 8-PowerSMD, Gull Wing |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUS300N08S5N012ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IAUS300N08S5N012ATMA1-FT |
IXKC15N60C5
IXYS
IXKC19N60C5
IXYS
IXKC20N60C
IXYS
IXKC23N60C5
IXYS
IXKC25N80C
IXYS
IXKC40N60C
IXYS
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IXYS
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Vishay Siliconix
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IXYS
VMO650-01F
IXYS
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Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel