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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2
Price: 1.510168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (256 reviews)

MFG-Teilenummer: IAUT165N08S5N029ATMA2

verfügbare Anzahl: 49160 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

IAUT165N08S5N029ATMA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IAUT165N08S5N029ATMA2
Zukünftige Teilenummer	FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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