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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

MFG-Teilenummer
IAUT165N08S5N029ATMA2
verfügbare Anzahl
49160 Stücke
Referenzpreis
USD 1.510168
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IAUT165N08S5N029ATMA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IAUT165N08S5N029ATMA2
Zukünftige Teilenummer FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6370pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Paket / fall 8-PowerSFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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